Flash
58 Results
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| Part no. | Package | Manufacturer | Density | Type | Voltage [V] | Status | Details |
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GD5F2GQ4RBYIG |
WSON8 | GigaDevice | 2 Gb | SPI NAND Flash | 1.7V-2.0V | MP |
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GD5F2GQ4RCYIG |
WSON8 | GigaDevice | 2 Gb | SPI NAND Flash | 1.7V-2.0V | MP |
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GD5F4GQ4RBYIG |
WSON8 | GigaDevice | 4 Gb | SPI NAND Flash | 1.7V-2.0V | MP |
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GD5F4GQ4RCYIG |
WSON8 | GigaDevice | 4 Gb | SPI NAND Flash | 1.7V-2.0V | MP |
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F59L512M81A |
48 TSOP I | ESMT | 512 Mb | NAND Flash | 2.6-3.6 | MP |
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F59L1G81A |
48 TSOP I, 63 BGA | ESMT | 1 Gb | NAND Flash | 2.6-3.6 | MP |
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F59D1G81A |
48 TSOP I, 63 BGA | ESMT | 1 Gb | NAND Flash | 1.7-1.95 | MP |
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F59L2G81A |
48 TSOP I, 63 BGA | ESMT | 2 Gb | NAND Flash | 2.7-3.6 | MP |
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F59L4G81A |
48 TSOP I | ESMT | 4 Gb | NAND Flash | 2.7-3.6 | MP |
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EN39LV010 |
32 TSOP I, 32 PLCC, WBGA | ESMT | 1 Mb | ISA Flash | 2.7-3.6 | MP |
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Parallel
Proprietà
- Memorie flash da: 512 kb … 256 Mb
- Organizzazione: x8 e x16
- Basso consumo di corrente di lavoro e di riposo (stand-by)
- Accesso rapido: 45 nS, 55 nS, 70 nS
- Temperature in ambiente industriale: -40 … +85°C
- Basso voltaggio operativo: 1,8 V; 3,3 V
- Flash con settori molto piccoli ( Pagine 128/256-Byte)
- Lettura e scrittura contemporaneamente
- Boot Block tramite impulso al software
- Disponibili tutte le varianti di contenitori.
SPI
Proprietà
- Organizzazione: SPI bus
- Bassa corrente operativa e di riposo (stand-by)
- Tempo di accesso rapido: 25, 50, 75 y 100MHz
- Temperature in ambiente industriale : -40 … +85°C
- Voltaggio: 1,8 V, 3,3 V
- Contenitori disponibili: SOIC-8, WSON-8
contatto tecnico
Dietmar Kinn
Fon: +49 7452 6007 21
Fax: +49 7452 6007 821
d.kinn@endrich.com_
